RU1C002ZPTCL

Rohm Semiconductor

RU1C002ZPTCL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F

В производствеSC-85Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds115 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность150mW (Ta)

Механические

Package / CaseSC-85
Корпус производителяUMT3F

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)