RTU002P02T106

Rohm Semiconductor

RTU002P02T106

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3

Снят с производстваSC-70, SOT-323Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 250mA, 4.5V
Базовый Part NumberRTU002
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность200mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Корпус производителяUMT3

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)