RTR030P02TL

Rohm Semiconductor

RTR030P02TL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3

В производствеSC-96Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds840 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1W (Ta)

Механические

Package / CaseSC-96
Корпус производителяTSMT3

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)