Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 10 V |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Not For New Designs |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 800mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 3-SMD, Flat Leads |
| Корпус производителя | TUMT3 |
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|