RSS090N03FU6TB

Rohm Semiconductor

RSS090N03FU6TB

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds810 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииУстаревший
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta)

Механические

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)