RS1G201ATTB1

Rohm Semiconductor

RS1G201ATTB1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 20A, 10V
Базовый Part NumberRS1G
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6890 pF @ 20 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 78A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3W (Ta), 40W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-HSOP

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)