RRQ030P03TR

Rohm Semiconductor

RRQ030P03TR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

В производствеSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 3A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность600mW (Ta)

Механические

Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителяTSMT6 (SC-95)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)