RQ6E030ATTCR

Name: RQ6E030ATTCR
Brand: Rohm Semiconductor

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

В производствеSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	91mOhm @ 3A, 10V
Базовый Part Number	RQ6E030
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	240 pF @ 15 V
Производитель	Rohm Semiconductor
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA

Напряжение сток-исток	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)

Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя	TSMT6 (SC-95)