RQ5P010SNTL

Rohm Semiconductor

RQ5P010SNTL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3

В производствеSC-96Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs520mOhm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 25 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность700mW (Ta)

Механические

Package / CaseSC-96
Корпус производителяTSMT3

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)