RQ5E030AJTCL

Rohm Semiconductor

RQ5E030AJTCL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TSMT3

В производствеSC-96Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds240 pF @ 15 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-96
Корпус производителяTSMT3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)