RQ3L090GNTB

Rohm Semiconductor

RQ3L090GNTB

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT

Снят с производства8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.9mOhm @ 9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1260 pF @ 30 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 300µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta), 30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta)

Механические

Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителя8-HSMT (3.2x3)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)