Общие
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Базовый Part Number | RPI-2501 |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Not For New Designs |
| Response Time | 10µs |
| Sensing Distance | 1.6mm |
| Sensing Method | Through-Beam |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Базовый Part Number | RPI-2501 |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Not For New Designs |
| Response Time | 10µs |
| Sensing Distance | 1.6mm |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 35 mA |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Module, Slotted |
| Рабочая температура | -25°C~85°C |
|---|