RJK005N03T146

Rohm Semiconductor

RJK005N03T146

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3

Снят с производстваTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs580mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность200mW (Ta)

Механические

Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSMT3

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)