RGWS80TS65DGC13

Rohm Semiconductor

RGWS80TS65DGC13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 71A TO247G

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge83 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)88 ns
Switching Energy700µJ (on), 660µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C40ns/114ns
Test Condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)71 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max202 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247G

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)