RGWS60TS65GC13

Rohm Semiconductor

RGWS60TS65GC13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRGWS60
Gate Charge58 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy500µJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C32ns/91ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)51 A
Current - Collector Pulsed (Icm)90 A
Power - Max156 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247G

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)