RGW80TS65EHRC11

Rohm Semiconductor

RGW80TS65EHRC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRGW80
Gate Charge110 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)86 ns
Td (on/off) @ 25°C43ns/148ns
Test Condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 40A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)160 A
Power - Max214 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247N

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)