RGW80TS65CHRC11

Rohm Semiconductor

RGW80TS65CHRC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT 650V 81A TO247N

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge110 nC
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)33 ns
Switching Energy120µJ (on), 340µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C43ns/145ns
Test Condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 40A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)81 A
Current - Collector Pulsed (Icm)160 A
Power - Max214 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247N

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)