RGW80TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW80TK65DGVC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

В производствеTO-3PFM, SC-93-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge110 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)92 ns
Switching Energy760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C44ns/143ns
Test Condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 40A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)39 A
Current - Collector Pulsed (Icm)160 A
Power - Max81 W

Механические

Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Корпус производителяTO-3PFM

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)