RGW60TS65DHRC11

Rohm Semiconductor

RGW60TS65DHRC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRGW60
Gate Charge84 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)87 ns
Td (on/off) @ 25°C36ns/107ns
Test Condition400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)64 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max178 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247N

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)