RGW60TS65CHRC11

Rohm Semiconductor

RGW60TS65CHRC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT 650V 64A TO247N

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge84 nC
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)34 ns
Switching Energy70µJ (on), 220µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C37ns/91ns
Test Condition400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)64 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max178 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247N

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)