RGW60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGW60TK65DGVC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM

В производствеTO-3PFM, SC-93-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge84 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)92 ns
Switching Energy480µJ (on), 490µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C37ns/114ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)33 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max72 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Корпус производителяTO-3PFM

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)