RGW50TS65GC11

Rohm Semiconductor

RGW50TS65GC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N

Снят с производстваTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge73 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
Switching Energy390µJ (on), 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C35ns/102ns
Test Condition400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 25A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)100 A
Power - Max156 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247N

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)