RGW50TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGW50TK65GVC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM

В производствеTO-3PFM, SC-93-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge73 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy390µJ (on), 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C35ns/102ns
Test Condition400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 25A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)100 A
Power - Max67 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Корпус производителяTO-3PFM

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)