RGTVX2TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTVX2TS65DGC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRENCH FLD 650V 111A TO247N

Снят с производстваTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge123 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
Switching Energy2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C49ns/150ns
Test Condition400V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 60A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)111 A
Current - Collector Pulsed (Icm)240 A
Power - Max319 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247N

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)