RGTV80TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGTV80TK65DGVC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

В производствеTO-3PFM, SC-93-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge81 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)101 ns
Switching Energy1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C39ns/113ns
Test Condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 40A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)39 A
Current - Collector Pulsed (Icm)160 A
Power - Max85 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Корпус производителяTO-3PFM

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)