RGTV60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65GVC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM

В производствеTO-3PFM, SC-93-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRGTV60
Gate Charge64 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C33ns/105ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)33 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max76 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Корпус производителяTO-3PFM

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)