RGTH80TK65GC11

Rohm Semiconductor

RGTH80TK65GC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 31A TO3PFM

В производствеTO-3PFM, SC-93-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRGTH80
Gate Charge79 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Td (on/off) @ 25°C34ns/120ns
Test Condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)160 A
Power - Max66 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Корпус производителяTO-3PFM

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)