RGTH50TS65DGC13

Rohm Semiconductor

RGTH50TS65DGC13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge49 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)58 ns
Td (on/off) @ 25°C27ns/94ns
Test Condition400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)100 A
Power - Max174 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247G

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)