RGTH50TK65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH50TK65DGC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM

В производствеTO-3PFM, SC-93-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge49 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)58 ns
Td (on/off) @ 25°C27ns/94ns
Test Condition400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)26 A
Current - Collector Pulsed (Icm)100 A
Power - Max59 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Корпус производителяTO-3PFM

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)