RGTH00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH00TK65DGC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM

В производствеTO-3PFM, SC-93-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge94 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)225 ns
Td (on/off) @ 25°C39ns/143ns
Test Condition400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)200 A
Power - Max72 W

Механические

Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Корпус производителяTO-3PFM

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)