RGT8TM65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT8TM65DGC9

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRENCH FLD 650V 5A TO220NFM

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge13.5 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns
Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A
Power - Max16 W

Механические

Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220NFM

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)