RGT8NS65DGTL

Rohm Semiconductor

RGT8NS65DGTL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRENCH FIELD 650V 8A LPDS

Снят с производстваTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge13.5 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns
Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A
Power - Max65 W

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяLPDS

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)