RGT8NS65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT8NS65DGC9

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262

В производствеTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge13.5 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns
Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A
Power - Max65 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Корпус производителяTO-262

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)