RGT60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGT60TS65DGC11

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N

Снят с производстваTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge58 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Статус позицииNot For New Designs
Reverse Recovery Time (trr)58 ns
Td (on/off) @ 25°C29ns/100ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)55 A
Current - Collector Pulsed (Icm)90 A
Power - Max194 W

Механические

Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247N

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)