RGT50NS65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT50NS65DGC9

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRENCH FIELD 650V 48A TO262

В производствеTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge49 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)58 ns
Td (on/off) @ 25°C27ns/88ns
Test Condition400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)48 A
Current - Collector Pulsed (Icm)75 A
Power - Max194 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус производителяTO-262

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)