RGT20TM65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT20TM65DGC9

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRNCH FLD 650V 10A TO220NFM

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge22 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)42 ns
Td (on/off) @ 25°C12ns/32ns
Test Condition400V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 10A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)30 A
Power - Max25 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220NFM

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)