RGT16NL65DGTL

Rohm Semiconductor

RGT16NL65DGTL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT TRENCH FIELD 650V 16A LPDS

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge21 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)42 ns
Td (on/off) @ 25°C13ns/33ns
Test Condition400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 8A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)24 A
Power - Max94 W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяLPDS

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)