RFN6BGE2DTL

Rohm Semiconductor

RFN6BGE2DTL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRFN6
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If980 mV @ 3 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252GE

Среда

Operating Temperature - Junction150°C