RFN20NS3SFHTL

Rohm Semiconductor

RFN20NS3SFHTL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 350V 20A LPDS

В производствеTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRFN20
Capacitance @ Vr, F412pF @ 0V, 1MHz
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.35 V @ 20 A
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 350 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяLPDS

Среда

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction150°C (Max)
QualificationAEC-Q101