RFN1VWM2STR

Rohm Semiconductor

RFN1VWM2STR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 200V 1A PMDE

В производстве2-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRFN1VWM2
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If930 mV @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 200 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case2-SMD, Flat Lead
Корпус производителяPMDE

Среда

Operating Temperature - Junction175°C