RFN1LAM6STR

Rohm Semiconductor

RFN1LAM6STR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

В производствеSOD-128Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRFN1LAM6
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.45 V @ 800 mA
Current - Average Rectified (Io)800mA
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 600 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

Package / CaseSOD-128
Корпус производителяPMDTM

Среда

Operating Temperature - Junction150°C (Max)