RFN10T2D

Rohm Semiconductor

RFN10T2D

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRFN10
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
УпаковкаBulk
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If980 mV @ 5 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)5A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220FN

Среда

Operating Temperature - Junction150°C (Max)