RFN10NS3STL

Rohm Semiconductor

RFN10NS3STL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 350V 10A LPDS

В производствеАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRFN10
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 350 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Корпус производителяLPDS

Среда

Operating Temperature - Junction150°C