RF6C055BCTCR

Rohm Semiconductor

RF6C055BCTCR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6

В производстве6-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1080 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1W (Tc)

Механические

Package / Case6-SMD, Flat Leads
Корпус производителяTUMT6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)