RF081L2STFTE25

Rohm Semiconductor

RF081L2STFTE25

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDS

В производствеDO-214AC, SMAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRF081
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If980 mV @ 1.1 A
Current - Average Rectified (Io)1.1A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDO-214AC, SMA
Корпус производителяPMDS

Среда

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction150°C
QualificationAEC-Q101