RE1C002UNTCL

Rohm Semiconductor

RE1C002UNTCL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F

В производствеSC-89, SOT-490Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Базовый Part NumberRE1C002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность150mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-89, SOT-490
Корпус производителяEMT3F (SOT-416FL)

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)