RD3U041AAFRATL

Rohm Semiconductor

RD3U041AAFRATL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 250V 4A TO252

В производствеTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность29W (Tc)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101