Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
|---|---|
| Корпус производителя | CPT3 |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|