RBLQ2MM10TR

Rohm Semiconductor

RBLQ2MM10TR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A

В производствеSOD-123FАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberRBLQ2
Capacitance @ Vr, F50pF @ 4V, 1MHz
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияSchottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If770 mV @ 2 A
Current - Average Rectified (Io)2A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 100 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOD-123F
Корпус производителяPMDU

Среда

Operating Temperature - Junction175°C