Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 11.3A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 25 V |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 600 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 120W (Tc) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-3PF |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|